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发布日期：2025-02-28 03:56    点击次数：107

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近日，第三代半导体产业技能革新策略定约接踵完成3项团体圭臬征求观点稿的编制，领路面向定约成员单元征求观点，为期一个月。

》》UIS应力下GaN HEMT在线测试方法征求观点

2025年1月23日，由电子科技大学牵头草拟的圭臬T/CASAS 052—202X《非钳位理性负载开关应力下GaN HEMT在线测试方法》已完成征求观点稿的编制，领路面向定约成员单元征求观点，为期一个月。征求观点稿一经过文书处邮件发送至定约成员单元；非定约成员单元如有需要，可发邮件至casas@casa-china.cn。T/CASAS 052—202X《非钳位理性负载开关应力下GaN HEMT在线测试方法》方法了试验非钳位理性负载应力下氮化镓高电子挪动率晶体管在线测试方法，包括测试旨趣、测试条目、测试要领、数据处理和测验评释。

本文献适用于适用于封装级GaN HEMT器件的分娩研发、特质表征、量产测试、可靠性评估及愚弄评估等责任场景。

电子科技大学功率集成技能实验室（Power Integrated Technology Lab, PITeL）附庸于电子科技大学集成电路科学与工程学院，为四川省功率半导体技能工程洽商中心，是电子薄膜与集成器件世界重心实验室和电子科技大学集成电路洽商中心的热切构成部分。现存18名进修/洽商员、9名副进修/副洽商员，285名在读全日制硕士洽商生和69名博士洽商生，被国际同业誉为“群众功率半导体技能边界最大的学术洽商团队”和 “功率半导体边界洽商最为全面的学术团队”。在团队负责东说念主见波进修的率领下，该实验室两次牵头获取国度科学技能跳动奖二等奖和四川省科学技能跳动奖一等奖，共获省部级以上科研奖励15项。比年来，实验室共发表SCI收录论文500余篇，获授权发明专利1462项。同期，其产学研互助凯旋显贵，部分居品冲破海外掌握、结束批量分娩，为企业新增径直经济效益高出百亿元，股东了我国功率半导体行业的发展。

》》2项AlN抛光片测试方法征求观点

2025年1月23日，由奥趋光电技能（杭州）有限公司牵头草拟的圭臬T/CASAS 053—202X《氮化铝晶片位错密度检测方法 腐蚀坑密度测量法》、由中国科学院半导体洽商所牵头草拟的圭臬T/CASAS 054—202X《氮化铝晶片收受所有这个词测试方法》已完成征求观点稿的编制，领路面向定约成员单元征求观点，为期一个月。征求观点稿一经过文书处邮件发送至定约成员单元。非定约成员单元如有需要，可发邮件至casas@casa-china.cn。

T/CASAS 053—202X《氮化铝晶片位错密度检测方法 腐蚀坑密度测量法》方法了用择优化腐蚀技能测试氮化铝抛光片中位错密度的方法，包括方法旨趣、仪器建造、测试条目、样品、测试门径、终止盘算和测试评释。本文献适用于抛光加工后位错密度小于10*7 个/cm²的氮化铝抛光片位错密度的测试，适用于1英寸、2英寸、3英寸、4英寸直径氮化铝抛光片的测试。氮化铝外延片可参照使用。

T/CASAS 054—202X《氮化铝晶片收受所有这个词测试方法》方法了氮化铝（AlN）抛光片光收受所有这个词的测试方法，包括旨趣、仪器建造、测试条目、样品、测试门径、终止盘算和测试评释。本文献适用于氮化铝抛光片的光学质料收尾和评估。氮化铝外延片可参照使用。

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（转自：第三代半导体产业）开云kaiyun官方网站

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